Транзистор IRF640N

Код товару: IRF640N

Вартість товару зазначена на сайті вказана на товар, що є по наявності. Вартість товару під замовлення може відрізнятися від ціни на сайті. Кінцева ціна на продукцію залежить від кількості, термінів поставки, форми оплати.

В наявності

90.00 грн Без ПДВ: 75.00 грн

Транзистор IRF640N n-канальний, МОП (MOSFET). Призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах, схемах управління електродвигунами та інших блоках і вузлах радіоелектронної апаратури.

Також являється найближчим аналогом: IRFB23N20D, IRFB260N, IRFB4127, STP20N20.

Транзистор IRF640N виготовлений в монолітному корпусі ТО-220АВ і при великих токах може кріпитися до радіатора. З двох сторін до транзистора приєднані два вихода - "стік" і "джерело", а керуючий електрод - затвор. Діапазон робочих температур - від -55 ° C до + 155 ° C

Підключення польового транзистора IRF540N можливо трьома способами: із загальним витоком, із загальним стоком, із загальним затвором.

Технічні характеристики N-канального польового транзистора IRF640N:

Структура

Максимальна напруга стік-витік V_DS

Максимальна напруга затвор-витік V_GS

Опір каналу у відкритому стані R_DS(on)при V_GS= 4.5/10В

Струм стоку I_Dпри T=25°C

Заряд затвора Q_g

Температурний коефіцієнт опору R_jc

Максимальна напруга що розсіюється P_d

Тип

корпусу

mΩ

нКл

°C/Вт

Вт

N-канал

200

0.15

1.1

150

TO-220AB

Як перевірити транзистор IRF640N?

Для перевірки польових транзисторів N-канального типу структури МДП необхідно переключити мультиметр в режим перевірки діодів, чорний мінусовій щуп необхідно встановити зліва на підкладку (D - стік), червоний плюсовій на дальній від себе вихід справа (S - витік), мультиметр показує падіння напруги на внутрішньому діоді, польовий транзистор закритий. Потім, не відпускаючи чорного щупа, торкаємося червоним щупом ближнього виведення (G - затвор) і знову з'єднуєм його з дальним (S - витік), мультиметр показує 0 мВ (на деяких цифрових мультиметр буде показуватися 150 ... 170 мВ), польовий транзистор відкрився дотиком.

Характеристики, параметри, схема, опис: