ТОП
Код товару: IXFN56N90P
Попереднє замовлення
489.60 грн
Транзистор IXFN56N90P (польовий транзистор) - це дискретний напівпровідниковий модуль, принцип дії якого заснований на управлінні електричним опором токопроводящего каналу поперечним електричним полем, створюваним прикладеним до затвору напругою.
Може використовуватися в схемах через низькі модуляційних перекручувань. Також застосовують в резисторах зі змінним напругою в операційних підсилювачах, схемах контролю звуку, адже вони забезпечують більшу ізоляцію між їхніми висновками затвора і стоку. Польові транзистори застосовуються в таких областях як цифрова електроніка та оптоволоконні системи.
Характеристики транзистора IXFN56N90P:
Vgs - напруга затвор-витік |
- 30 V, + 30 V |
| Корпус | SOT-227-4 |
| Вид монтажу: | ґвинтами |
| Мінімальна робоча температура: | - 55 C |
| Максимальна робоча температура: | + 150 C |
| Кількість каналів: | 1 |
| Полярність транзистора: | N-Channel |
| Час спаду: | 38 ns |
| Id - безперервний струм витоку: | 56 A |
| Pd - напруга що розсіюється: | 1 кВт |
| Rds Вкл - опір стік-витік: | 135 мОм |
| Час наростання: | 80 ns |
| Типовий час затримки вимкнення: | 93 ns |
| Типовий час затримки при включенні: | 74 ns |
| Vds - напруга пробою стік-витік: | 900 В |
| Vgs th - порогове напруга затвор-витік : | 6.5 В |
| Вага виробу: | 30 гр |
Схема корпусу транзистора IXFN56N90P:
| Позначення | Міліметри | |
| max | min | |
| A | 31.50 | 31.88 |
| B | 7.80 | 8.20 |
| C | 4.09 | 4.29 |
| D | 4.09 | 4.29 |
| E | 4.09 | 4.29 |
| F | 14.91 | 15.11 |
| G | 30.12 | 30.30 |
| H | 38.00 | 38.23 |
| J | 11.68 |
12.22 |
| K | 8.92 |
9.60 |
| L | 0.76 |
0.84 |
| M | 12.60 |
12.85 |
| N | 25.15 |
25.42 |
| O | 1.98 |
2.13 |
| P | 4.95 |
5.97 |
| Q | 26.54 |
26.90 |
| R | 3.94 |
4.42 |
| S | 4.72 |
4.85 |
| T | 24.59 | 25.07 |
| U | -0.05 | 0.1 |
Графіки роботи транзистору IXFN56N90P |
|
| Вихідні характеристики, TJ= 25oC |  |
| Розширені вихідні характеристики |
 |
| Вихідні характеристики, TJ= 125oC |  |
| RDS (вкл.) Нормалізація до значення ID = 28A при температурі переходу |  |
| RDS (вкл.) Нормалізація до значення ID = 28A при витоку струму |  |
| Максимальний струм витоку vs. температура корпусу |  |
| Вхідний допуск |
 |
| Крутизна |  |
| Падіння прямої напруги внутрішнього діода |
 |
| Заряд затвору |  |
| Ємність |  |
| Максимальний перехідний термічний імпеданс |
 |
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
Новинка
