Мы работаем ПН-ПТ с 9.00 до 18.00; СБ с 10.00 до 16.00
  • Транзистор IXFN56N90P

Транзистор IXFN56N90P (полевой транзистор) - это дискретный полупроводниковый модуль, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Может использоваться в схемах из-за низких модуляционных искажений. Также применяют в резисторах с переменным напряжением в операционных усилителях, схемах контроля звука, ведь они обеспечивают большую изоляцию между их выводами затвора и стока. Полевые транзисторы применяются в таких областях как цифровая электроника и оптоволоконные системы.

Характеристики транзистора IXFN56N90P:


Vgs - напряжение затвор-исток

- 30 V, + 30 V
Корпус SOT-227-4
Вид монтажа: винтами
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Количество каналов: 1
Полярность транзистора: N-Channel
Время спада: 38 ns
Id - непрерывный ток утечки: 56 A
Pd - рассеивание мощности: 1 кВт
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 135 мОм
Время нарастания: 80 ns
Типичное время задержки выключения:93 ns
Типичное время задержки при включении: 74 ns
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 900 В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 6.5 В
Вес изделия: 30 гр


Схема корпуса транзистора IXFN56N90P:

Обозначение Миллиметры
max min
A 31.50 31.88
B 7.80 8.20
C 4.09 4.29
D 4.09 4.29
E 4.09 4.29
F 14.91 15.11
G 30.12 30.30
H 38.00 38.23
J 11.68
12.22
K 8.92
9.60
L 0.76
0.84
M 12.60
12.85
N 25.15
25.42
O 1.98
2.13
P 4.95
5.97
Q 26.54
26.90
R 3.94
4.42
S 4.72
4.85
T 24.59 25.07
U -0.05 0.1

Графики работы транзистора IXFN56N90P

Выходные характеристики, TJ= 25oC Транзистор IXFN56N90P
Расширенные выходные характеристики Транзистор IXFN56N90P
Выходные характеристики, TJ= 125oC Транзистор IXFN56N90P
RDS (вкл.) Нормализация до значения ID = 28A при температуре перехода Транзистор IXFN56N90P
RDS (вкл.) Нормализация до значения ID = 28A при утечке тока Транзистор IXFN56N90P
Максимальный ток утечки vs. Температура корпуса Транзистор IXFN56N90P
Входной допуск Транзистор IXFN56N90P
Крутизна Транзистор IXFN56N90P
Падение прямого напряжения внутреннего диода Транзистор IXFN56N90P
Заряд затвора Транзистор IXFN56N90P
Емкость Транзистор IXFN56N90P
Максимальный переходный термический импеданс Транзистор IXFN56N90P



Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.
    Плохо           Хорошо

Транзистор IXFN56N90P

  • Модель: IXFN56N90P
  • Наличие: Предварительный заказ
  • 460.00 грн


IXFN56N90P, транзистор IXFN56N90P, IXFN56N90P datasheet

Новые поступления

Диодный мост однофазный MDQ300

Диодный мост однофазный MDQ300

Диодные мосты MDQ300 – однофазные двухполупериодные преобразователи переменного тока в пульсирующий ..

980.00 грн

Охладитель для однофазного модуля OMDQ150

Охладитель для однофазного модуля OMDQ150

Охладитель для однофазного модуля MDQ150 применяется для одностороннего охлаждения однофазный м..

580.00 грн

Диодный мост однофазный MDQ150

Диодный мост однофазный MDQ150

Диодные мосты MDQ150 – однофазные двухполупериодные преобразователи переменного тока в пульсирующий ..

470.00 грн

Охладитель для однофазного модуля OMDQ100

Охладитель для однофазного модуля OMDQ100

Охладитель для однофазного модуля MDQ100 -  применяется для одностороннего охлаждения однофазны..

520.00 грн